没想到耽搁了这么多时间,到现在才开始。行百里者半九十,从今天开始每天要坚持阅读论文1小时。

Memristor

忆阻器概念

  1. 无源非线性电路元件
  2. 继电阻,电容和电感之后的第四种基本电路元件

忆阻器特征

  1. 阻值会随通过的电流大小改变而改变
  2. 电流中断时其阻值会保持掉电瞬间状态,直到下一次有电流流过才会改变阻值
  3. 可以表示磁通量和电荷量之间的关系
  4. 具有非易o失记忆性及纳米尺度的结构特点

如何判断是否为忆阻器

忆阻器模型分类(如何分类以及缺陷)

Tio2忆阻器模型(HP实验室)

  1. HP实验室构建的忆阻器模型架构分为四个部分,上下两边是很薄的铂电极;中间是Tio2材料,上边没有掺杂,下边是掺杂氧原子空位的Tio2层。当电荷通过铂电极流过两层Tio2时,Tio2内部有氧空缺位到无氧空缺位的移动会引起Tio2忆阻器的总阻值发生变化。
  2. 当电流从Tio2-X层流向Tio2层时,Tio2忆阻器的阻值会逐渐变小,最终停留在最小阻值状态;反之阻值逐渐变大,最终停留在最大阻值态。
  3. 当电流断开时,其内部氧空缺位不会回到之前的状态,既可保持掉电瞬间状态,从而Tio2忆阻器具有掉电记忆特性。

荷控型忆阻器模型

磁控型忆阻器模型

新忆阻器模型的提出

chaos

混沌的概念

  1. 混沌是非线性动力学系统中所特有的一种运动形式
  2. 混沌现象的发现被称为第三次物理革命,改变了确定性和随机性之间分界线的说法。

混沌的特征

  1. 混沌系统对初始条件具有高度的敏感性,即当初始条件发生微小的变化时,经过一段时间的演化,就会引起系统发生很大的变化。
  2. 混沌系统是确定的,但系统的输出表现出高度随机性。
  3. 相维空间的轨迹可能存在奇异吸引子,具有分维分形特性。
  4. 混沌轨迹具有分岔特性,一般混沌系统在系统参数改变的情况下可出现单周期、倍周期、四周期直至出现逆周期特性。

如何判断系统是否存在混沌现象

混沌的三要素

  1. 临界水平:混沌事件的发生点
  2. 分形:有序和无序的统一
  3. 混沌对初始值的高敏感度性:一个微小的扰动可导致最终系统输出的巨大差异

怎么通过理论分析和仿真模拟展示混沌行为

忆阻神经网络

忆阻神经网络的概念

忆阻神经网络研究的理论意义

忆阻神经网络研究的应用意义

改进

这些研究工作有哪些可以改进的具体地方,如何在次基础上做一些改进

  1. 什么是忆阻器?忆阻器有哪些特征?如何判断一个器件是否为忆阻器?已有的忆阻器模型有哪些,如何分类,有哪些缺陷?怎么提出一个新的忆阻器模型?
  2. 什么是混沌?混沌有哪些特征?如何判断系统是否存在混沌现象及怎么通过理论分析和仿真模拟展示混沌行为?
  3. 什么是忆阻神经网络?忆阻神经网络的研究意义是什么(理论和应用两方面)?
  4. 思考论文中涉及到的相关技术和方法是否能够自行实现?
  5. 这些研究工作有哪些可以改进的具体地方,如何在次基础上做一些改进,这一点最为重要。做好相关笔记。